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용인상간소송변호사 제조업 인력 근속지원금 ‘경남형 버팀이음’ 추가 모집

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작성자 행복이13
댓글 0건 조회 2회 작성일 26-08-10 20:54

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용인상간소송변호사 경남도는 지역 제조업의 숙련 인력 이탈을 막고 고용 안정을 꾀하고자 ‘경남형 버팀이음 프로젝트’ 참여 노동자를 오는 23일까지 추가 모집한다고 10일 밝혔다.
경남도는 지난 7월 1차 모집에 이어 잔여 모집인원에 대한 추가 모집을 한다.
이 사업은 고용노동부 추경 공모에 선정된 맞춤형 일자리 창출 지원 사업으로, 대상 노동자에게 1인당 50만원의 근속유지지원금을 제로페이 모바일 상품권으로 지급한다.
지원 대상 지역·업종은 창원시 전기장비 제조업, 김해·양산시 금속가공제품 제조업이다.
해당 지역의 5인 이상 300인 미만 우선 지원 대상기업에서 올해 2월 28일부터 지급일까지 계속 근무 중인 재직 노동자라면 신청할 수 있다.
모집 인원은 3750명(창원 1400명, 김해·양산 2350명)이다. 소득 수준과 부양가족 수, 사업장 규모, 중동 관련 수출입 여부 등을 종합 심사해 대상자를 선정한다.
자세한 사항은 경남투자경제진흥원 누리집에서 확인할 수 있다.
한·미가 하반기 정례 연합연습인 을지 자유의 방패(UFS)에서 한국군 4성 장군이 지휘하는 미래연합군사령부 주도 훈련을 실시하지 않는 방향으로 가닥을 잡았다. 전시작전통제권 전환의 주요 국면마다 한국군 주도 연습을 실시했지만 올해 UFS는 미군 주도로 진행될 가능성이 높다. 군 당국은 미국과 협의를 통해 장기적으로 한국군 주도 연습 시행 시기를 검토하겠다는 입장이다.
7일 합동참모본부는 “한국군 4성 장군이 지휘하는 미래연합사 주도 연합연습을 주기적으로 시행하기 위해 미국 측과 긴밀히 협의 중”이라며 “올해 FOC(완전운용능력) 검증 이후 시행 시기를 검토해 나갈 것”이라고 밝혔다. 올해는 사실상 한국군이 지휘하는 미래연합사 연습을 하기 어렵게 됐다는 것을 의미하는 것으로 풀이된다. 다만 군 당국은 UFS 기간 특정 국면에 한국군이 지휘권을 행사할 가능성도 염두에 두고 있는 것으로 알려졌다.
앞서 한·미는 지난해 11월 한·미 안보협의회(SCM)에서 전작권 전환 후 한·미연합사령부를 대신하는 미래연합군사령부 구축을 위한 3단계 검증 가운데 2단계인 FOC 검증을 올해 11월 SCM까지 완료하기로 했다. FOC 검증을 마무리하면 한·미 국방장관은 SCM에서 전작권 전환 목표 연도를 도출하게 된다. 이후 FMC 검증까지 마치면 양국 장관이 양국 대통령에게 전작권 전환 일자를 건의한다.
그간 군 일각에서는 하반기 UFS에서 한국군 주도 연습이 진행될 가능성이 제기돼 왔다. 현재 주한미군사령관이 한·미연합사령관으로서 전작권을 행사하지만, 전작권 전환 이후에는 한국군 4성 장군이 미래연합사령관을 맡아 연합군을 지휘하게 된다. 이에 전작권 전환을 위한 1단계 기본운용능력(IOC) 평가가 이뤄진 2019년과 2단계 FOC 평가가 진행된 2022년에도 한국군 4성 장군이 사령관 역할을 맡아 연합훈련을 주도한 사례가 있었다.
군 당국은 과거 한국군 주도의 연습과 평가를 마친 만큼, 올해 UFS가 미군 주도로 진행되더라도 향후 전작권 전환 평가에는 큰 영향을 미치지 않을 것으로 전망했다. 합참은 “한·미는 한국군 4성 장군이 지휘하는 미래연합사 FOC 평가를 이미 2022년에 실시했고, 한·미 군사당국으로부터 우수한 평가를 받은 바 있다”고 밝혔다.
군 일각에서는 우려의 목소리도 나온다. 한 군 소식통은 “전작권 전환 목표 시점을 설정해야 하는 중요한 시기에 한국군 사령관이 연합연습에서 지휘권을 행사하지 못하는 것은 역설적으로 주한미군이 전작권 전환에 소극적이라는 점을 보여주는 것 아니겠느냐”고 말했다.
주한미군은 이번 사안과 관련해 “(한국 군 당국으로부터) 공식적으로 논의가 진행된 것이나 논의 요청이 온 사실은 없다”고 밝혔다.
3D 낸드 반도체 안에서 데이터가 오가는 통로의 저항을 줄일 수 있는 기술이 개발됐다. 반도체 결정이 자라는 방향을 일정하게 유도해 고층 건물처럼 쌓아 올리는 차세대 메모리의 성능 저하 문제를 줄이는 방식이다.
포항공대(POSTECH)는 황현상 신소재공학과·반도체공학과 교수와 권오혁 신소재공학과 통합과정생 연구팀이 삼성전자 반도체연구소·메모리사업부와 함께 3D 낸드 채널 내부 실리콘 결정의 성장 방향을 제어하는 기술을 개발했다고 7일 밝혔다.
낸드는 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않는 저장용 반도체다. 스마트폰과 USB 메모리, 데이터센터 저장장치 등에 쓰인다. 더 많은 데이터를 저장하기 위해 정보를 담는 셀을 수직으로 쌓아 올린 구조가 3D 낸드다.
문제는 층수가 높아질수록 데이터를 전달하는 수직 통로인 실리콘 채널도 길어진다는 점이다. 실리콘은 작은 결정들이 모여 만들어지는데, 결정과 결정 사이의 경계는 전류 흐름을 방해한다. 채널이 길수록 이런 경계가 늘어나 저항이 커지고, 데이터 처리 속도도 떨어질 수 있다.
이 문제를 해결할 기술로 ‘금속 유도 측면 결정화’가 주목받아 왔다. 니켈을 촉매로 사용해 비교적 낮은 온도에서 고품질 실리콘 결정을 만드는 방식이다. 하지만 결정이 자라는 방향을 제어하기 어려웠다. 바늘 모양 결정이 제각각 자라다가 서로 부딪히면 성장이 멈추고, 니켈이 채널 안에 남는 문제도 있었다.
연구팀은 결정이 자라기 시작하는 출발점에 방향을 잡아주는 ‘시드층’을 만드는 방식으로 한계를 풀었다. 실리콘 기판 위 니켈 박막에 마이크로웨이브 어닐링을 적용해 결정이 일정한 방향으로 자라도록 유도했다. 전자레인지가 음식 내부의 특정 분자에 열을 전달하듯, 니켈과 실리콘이 맞닿은 부분에 에너지를 집중시키는 원리다.
연구팀이 이 시드층을 3D 낸드 채널 표면에 적용하자 결정은 무작위로 퍼지지 않고 한 방향으로 길게 이어졌다. 실제 155단 3D 낸드 구조에서도 채널 위쪽부터 아래 끝까지 균일하게 정렬된 결정을 구현했다.
이 기술은 고단수 3D 낸드에서 데이터 이동 효율을 높이고, 더 많은 데이터를 빠르고 안정적으로 처리하는 메모리 반도체 개발에 활용될 수 있다.
황현상 교수는 “적층 수가 늘어나는 차세대 3D 낸드에서도 채널 전체를 균일하게 결정화할 수 있는 실질적인 해법을 제시했다”고 말했다.
이번 연구는 삼성전자의 산학 공동 연구 지원을 받아 진행됐다. 연구 결과는 반도체 분야 국제 학회인 ‘2026 IEEE 국제 VLSI 기술 및 회로 심포지엄’에서 발표됐으며, 국제 학술지 ‘네이처 일렉트로닉스’의 ‘Research Highlights’에 선정됐다.

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